RN2909 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2909  📄📄 

Маркировка: YJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2909

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2909 даташит

 ..1. Size:288K  toshiba
 rn2907 rn2909.pdf pdf_icon

RN2909

RN2907 RN2909 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2907,RN2908,RN2909 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementa

 0.1. Size:165K  toshiba
 rn2907afs rn2909afs.pdf pdf_icon

RN2909

RN2907AFS RN2909AFS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN2907AFS, RN2908AFS, RN2909AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorpora

 0.2. Size:332K  toshiba
 rn2907fe rn2909fe.pdf pdf_icon

RN2909

RN2907FE RN2909FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2907FE,RN2908FE,RN2909FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Red

 0.3. Size:162K  toshiba
 rn2907fs rn2909fs.pdf pdf_icon

RN2909

RN2907FS RN2909FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2907FS,RN2908FS,RN2909FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications. 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2907, RN2908AFS, RN2908FE, RN2908FS, RN2908, RN2909AFS, RN2909FE, RN2909FS, 9014, RN2910AFS, RN2910FE, RN2910FS, RN2910, RN2911AFS, RN2911FE, RN2911FS, RN2911