RN2912FS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2912FS  📄📄 

Маркировка: HH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT963 FS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2912FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2912FS даташит

 ..1. Size:117K  toshiba
 rn2912fs rn2913fs.pdf pdf_icon

RN2912FS

RN2912FS,RN2913FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2912FS, RN2913FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resistor into a

 8.1. Size:132K  toshiba
 rn2912afs rn2913afs.pdf pdf_icon

RN2912FS

RN2912AFS, RN2913AFS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN2912AFS, RN2913AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

 9.1. Size:167K  toshiba
 rn2910fe rn2911fe.pdf pdf_icon

RN2912FS

RN2910FE,RN2911FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2910FE,RN2911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reduc

 9.2. Size:117K  toshiba
 rn2910fs rn2911fs.pdf pdf_icon

RN2912FS

RN2910FS,RN2911FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2910FS, RN2911FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resistor into a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2910FE, RN2910FS, RN2910, RN2911AFS, RN2911FE, RN2911FS, RN2911, RN2912AFS, D209L, RN2913AFS, RN2913FS, RN2961CT, RN2961FE, RN2961FS, RN2961, RN2962CT, RN2962FE