Биполярный транзистор 2N5767 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5767
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.35 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO128
2N5767 Datasheet (PDF)
2n5769.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N5769C TO-92BENPN Switching TransistorThis device is designed for high speed saturated switchingapplications at currents to 100 mA. Sourced from Process 21.See PN2369A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VV Collector-Base Voltage
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outlin
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
