Биполярный транзистор 2N5768 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5768
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO128
2N5768 Datasheet (PDF)
2n5769.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N5769C TO-92BENPN Switching TransistorThis device is designed for high speed saturated switchingapplications at currents to 100 mA. Sourced from Process 21.See PN2369A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VV Collector-Base Voltage
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outlin
Другие транзисторы... 2N5760 , 2N5761 , 2N5762 , 2N5763 , 2N5764 , 2N5765 , 2N5766 , 2N5767 , 2SC6090LS , 2N5769 , 2N576A , 2N5770 , 2N5771 , 2N5772 , 2N5773 , 2N5774 , 2N5775 .
