Биполярный транзистор RN2970CT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN2970CT
Маркировка: K9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: CST6
RN2970CT Datasheet (PDF)
rn2970ct rn2971ct.pdf
RN2970CT,RN2971CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2970CT,RN2971CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.05 0.150.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a tran
rn2970-rn2971.pdf
RN2970,RN2971 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2970,RN2971 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1
rn2970fs rn2971fs.pdf
RN2970FS,RN2971FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2970FS,RN2971FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor i
rn2970fe-rn2971fe.pdf
RN2970FE,RN2971FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2970FE,RN2971FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing t
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050