RN4612 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN4612  📄📄 

Маркировка: VN

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT26 SC74 SM6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN4612

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4612 даташит

 ..1. Size:90K  toshiba
 rn4612.pdf pdf_icon

RN4612

RN4612 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4612 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm Includeing two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing proces

 9.1. Size:209K  toshiba
 rn4610.pdf pdf_icon

RN4612

 9.2. Size:89K  toshiba
 rn4611.pdf pdf_icon

RN4612

RN4611 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4611 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm Includeing two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing proces

Другие транзисторы: RN4604, RN4605, RN4606, RN4607, RN4608, RN4609, RN4610, RN4611, 2N2222A, RN46A1, RN47A1JE, RN47A1, RN47A2JE, RN47A2, RN47A3JE, RN47A3, RN47A4JE