2N5771 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2N5771 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5771 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2N5771

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2N5771 даташит

..1. Size:585K fairchild semi
2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

..2. Size:708K fairchild semi
2n5771.pdf pdf_icon

..3. Size:65K central
2n5910 pn5910 2n5771.pdf pdf_icon

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

9.1. Size:28K fairchild semi
2n5772.pdf pdf_icon

2N5772 NPN Switching Transistor Sourced from process 22. TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector Absolute Maximum Ratings * Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Collector Current - Continued 300 mA TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range -