Справочник транзисторов. RN4909FE

 

Биполярный транзистор RN4909FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4909FE
   Маркировка: VJ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 

 Аналог (замена) для RN4909FE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4909FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  toshiba
rn4909fe.pdfpdf_icon

RN4909FE

RN4909FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4909FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

 8.1. Size:146K  toshiba
rn4909.pdfpdf_icon

RN4909FE

RN4909 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4909 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 9.1. Size:83K  toshiba
rn4902.pdfpdf_icon

RN4909FE

RN4902 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN4902 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 9.2. Size:103K  toshiba
rn4906fe.pdfpdf_icon

RN4909FE

RN4906FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4906FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: RN47A6 | DDTA125TCA | 2SA250

 

 
Back to Top

 


 
.