Справочник транзисторов. RN4986FE

 

Биполярный транзистор RN4986FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4986FE
   Маркировка: 6F
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN4986FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  toshiba
rn4986fe.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4986FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

 7.1. Size:170K  toshiba
rn4986fs.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4986FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:168K  toshiba
rn4986afs.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4986AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into the t

 8.2. Size:249K  toshiba
rn4986.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4986 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pro

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: ZTX302M | NSVF4009SG4

 

 
Back to Top

 


 
.