Справочник транзисторов. RN4986FE

 

Биполярный транзистор RN4986FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4986FE
   Маркировка: 6F
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 

 Аналог (замена) для RN4986FE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4986FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  toshiba
rn4986fe.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4986FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

 7.1. Size:170K  toshiba
rn4986fs.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4986FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:168K  toshiba
rn4986afs.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4986AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into the t

 8.2. Size:249K  toshiba
rn4986.pdfpdf_icon

RN4986FE

RN4986 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4986 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pro

Другие транзисторы... RN4984FE , RN4984FS , RN4984 , RN4985AFS , RN4985FE , RN4985FS , RN4985 , RN4986AFS , TIP32C , RN4986FS , RN4986 , RN4987AFS , RN4987FE , RN4987FS , RN4987 , RN4988AFS , RN4988FE .

History: BLD122D | MJD31T4 | CL055C | OD603-50 | KTA1704 | DTC124XUAFRA | BDP955

 

 
Back to Top

 


 
.