RN4987FE - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN4987FE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN4987FE
   Маркировка: 6H
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563 ES6

 Аналоги (замена) для RN4987FE

 

RN4987FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  toshiba
rn4987fe.pdfpdf_icon

RN4987FE

RN4987FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4987FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts co

 7.1. Size:170K  toshiba
rn4987fs.pdfpdf_icon

RN4987FE

RN4987FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4987FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:89K  toshiba
rn4987.pdfpdf_icon

RN4987FE

RN4987 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4987 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (Ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 8.2. Size:168K  toshiba
rn4987afs.pdfpdf_icon

RN4987FE

RN4987AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4987AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into

Другие транзисторы... RN4985FE , RN4985FS , RN4985 , RN4986AFS , RN4986FE , RN4986FS , RN4986 , RN4987AFS , D882P , RN4987FS , RN4987 , RN4988AFS , RN4988FE , RN4988FS , RN4988 , RN4989AFS , RN4989FE .

History: KTD8303A | RN2966FE

 

 
Back to Top

 


 
.