Справочник транзисторов. RN4987FE

 

Биполярный транзистор RN4987FE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: RN4987FE
   Маркировка: 6H
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563 ES6

 Аналоги (замена) для RN4987FE

 

 

RN4987FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  toshiba
rn4987fe.pdf

RN4987FE
RN4987FE

RN4987FE TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4987FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts co

 7.1. Size:170K  toshiba
rn4987fs.pdf

RN4987FE
RN4987FE

RN4987FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4987FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:89K  toshiba
rn4987.pdf

RN4987FE
RN4987FE

RN4987 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4987 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Includeing two devices in US6 (Ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr

 8.2. Size:168K  toshiba
rn4987afs.pdf

RN4987FE
RN4987FE

RN4987AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4987AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top