2N578 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N578  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N578

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N578 даташит

 0.1. Size:57K  njs
2n5780 2n5780 2n5777.pdfpdf_icon

2N578

 0.2. Size:89K  central
2n5783 2n5786.pdfpdf_icon

2N578

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.3. Size:149K  semelab
2n5786l.pdfpdf_icon

2N578

SILICON NPN TRANSISTOR 2N5786L Low Saturation Voltage. High Gain At High Current. Hermetic TO5 (TO-205AA) Metal Package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications. High Reliability and Space Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 45V VCER RBE = 100 Collect

Другие транзисторы: 2N576A, 2N5770, 2N5771, 2N5772, 2N5773, 2N5774, 2N5775, 2N5776, D209L, 2N5781, 2N5782, 2N5783, 2N5784, 2N5784SM, 2N5785, 2N5785SM, 2N5786