2N5782 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5782  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5782

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5782 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
2n5782l.pdfpdf_icon

2N5782

2N5782L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar PNP Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar PNP Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 65V 5.08 (0.200) IC = 3.5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can

 9.2. Size:57K  njs
2n5780 2n5780 2n5777.pdfpdf_icon

2N5782

 9.3. Size:89K  central
2n5783 2n5786.pdfpdf_icon

2N5782

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

Другие транзисторы: 2N5771, 2N5772, 2N5773, 2N5774, 2N5775, 2N5776, 2N578, 2N5781, 2222A, 2N5783, 2N5784, 2N5784SM, 2N5785, 2N5785SM, 2N5786, 2N579, 2N5793