RN49P1FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN49P1FS

Маркировка: X0

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT963 FS6

 Аналоги (замена) для RN49P1FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN49P1FS даташит

 ..1. Size:148K  toshiba
 rn49p1fs.pdf pdf_icon

RN49P1FS

RN49P1FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type Preliminary (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN49P1FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit mm Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

Другие транзисторы: RN49A4FE, RN49A5, RN49A6FS, RN49J2AFS, RN49J2CT, RN49J2FS, RN49J7FS, RN49P1CT, 2N3906, 2SA1327A, 2SA1451A, 2SA1452A, 2SA1869, 2SA1887, 2SA1891, 2SA1892, 2SA1905