2N5783 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5783  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5783

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5783 даташит

 ..1. Size:89K  central
 2n5783 2n5786.pdf pdf_icon

2N5783

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N5783

 9.2. Size:57K  njs
 2n5780 2n5780 2n5777.pdf pdf_icon

2N5783

 9.3. Size:149K  semelab
 2n5786l.pdf pdf_icon

2N5783

SILICON NPN TRANSISTOR 2N5786L Low Saturation Voltage. High Gain At High Current. Hermetic TO5 (TO-205AA) Metal Package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications. High Reliability and Space Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 45V VCER RBE = 100 Collect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5772, 2N5773, 2N5774, 2N5775, 2N5776, 2N578, 2N5781, 2N5782, 2SC5198, 2N5784, 2N5784SM, 2N5785, 2N5785SM, 2N5786, 2N579, 2N5793, 2N5794