2SA1451A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1451A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 320 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220NIS

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1451A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1451A даташит

 ..1. Size:148K  toshiba
 2sa1451a.pdf pdf_icon

2SA1451A

2SA1451A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1451A High-Speed, High-Current Switching Applications Unit mm Low collector saturation voltage VCE (sat) = -0.4 V (max) (IC = -6 A) High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC3709A Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sa1451a.pdf pdf_icon

2SA1451A

 7.1. Size:218K  toshiba
 2sa1451.pdf pdf_icon

2SA1451A

 7.2. Size:212K  jmnic
 2sa1451.pdf pdf_icon

2SA1451A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1451 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High speed switching time Complement to type 2SC3709 APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN49A6FS, RN49J2AFS, RN49J2CT, RN49J2FS, RN49J7FS, RN49P1CT, RN49P1FS, 2SA1327A, BC327, 2SA1452A, 2SA1869, 2SA1887, 2SA1891, 2SA1892, 2SA1905, 2SA1923, 2SA1924