2SA1932 - описание и поиск аналогов

 

2SA1932. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1932

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TPL

 Аналоги (замена) для 2SA1932

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1932 даташит

 ..1. Size:197K  toshiba
2sa1932.pdfpdf_icon

2SA1932

 ..2. Size:181K  inchange semiconductor
2sa1932.pdfpdf_icon

2SA1932

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1932 DESCRIPTION High collector breakdown voltage Complementary to 2SC5174 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Driver stage amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 8.1. Size:236K  toshiba
2sa1934.pdfpdf_icon

2SA1932

 8.2. Size:194K  toshiba
2sa1937.pdfpdf_icon

2SA1932

2SA1937 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1937 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -600 V Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -600 V Collector-emitter voltage VCEO -600 V Emitter-base voltage VEBO -7 V DC IC -0.5 Collector current A Pulse ICP -1 Base current IB

Другие транзисторы... 2SA1892 , 2SA1905 , 2SA1923 , 2SA1924 , 2SA1925 , 2SA1926 , 2SA1930 , 2SA1931 , BD335 , 2SA1933 , 2SA1934 , 2SA1937 , 2SA1939 , 2SA1940 , 2SA1941 , 2SA1942 , 2SA1962 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.