2N5786 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N5786 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO5
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2N5786
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5786 даташит
2n5783 2n5786.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n5786l.pdf
SILICON NPN TRANSISTOR 2N5786L Low Saturation Voltage. High Gain At High Current. Hermetic TO5 (TO-205AA) Metal Package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications. High Reliability and Space Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 45V VCER RBE = 100 Collect
Другие транзисторы: 2N578, 2N5781, 2N5782, 2N5783, 2N5784, 2N5784SM, 2N5785, 2N5785SM, BC549, 2N579, 2N5793, 2N5794, 2N5795, 2N5796, 2N580, 2N5804, 2N5805
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2N3855 | 2SB278 | 2N5769 | 2N3706 | DTA014YEB | 2SC3469F | 2N3594
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392














