2SC3710A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3710A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220NIS

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3710A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3710A даташит

 ..1. Size:224K  toshiba
 2sc3710a.pdf pdf_icon

2SC3710A

 ..2. Size:197K  inchange semiconductor
 2sc3710a.pdf pdf_icon

2SC3710A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3710A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.4V(Max)@I = 6A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1452A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

 7.1. Size:213K  toshiba
 2sc3710.pdf pdf_icon

2SC3710A

 7.2. Size:30K  jmnic
 2sc3710.pdf pdf_icon

2SC3710A

Power Transistors www.jmnic.com 2SC3710 Silicon NPN Transistors Features B C E With TO-220Fa package Complement to type 2SA1452 Hihg current switching applications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 80 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IB Base current 2 A IC Colle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA2184, 2SA2190, 2SA2206, 2SA2219, 2SA2220, 2SA940A, 2SC2073A, 2SC3709A, 431, 2SC4935, 2SC5000, 2SC5075, 2SC5076, 2SC5122, 2SC5154, 2SC5171, 2SC5172