2SC5075. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5075

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TPS

 Аналоги (замена) для 2SC5075

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5075 даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
 2sc5075.pdf pdf_icon

2SC5075

 8.1. Size:743K  1
 2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf pdf_icon

2SC5075

 8.2. Size:220K  toshiba
 2sc5076.pdf pdf_icon

2SC5075

 8.3. Size:106K  sanyo
 2sc5070.pdf pdf_icon

2SC5075

Ordering number EN4473 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5070 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Driver Applications Features Package Dimensions High current capacity. unit mm Adoption of MBIT process. 2084A High DC current gain. [2SC5070] Low collector-to-emitter saturation voltage. 4.5 1.9 2.6 10.5 High VEBO. 1.2 1.4 1.2 0.5 1.6 0.5 1 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA2219, 2SA2220, 2SA940A, 2SC2073A, 2SC3709A, 2SC3710A, 2SC4935, 2SC5000, 2SC2383, 2SC5076, 2SC5122, 2SC5154, 2SC5171, 2SC5172, 2SC5173, 2SC5174, 2SC5176