2SC5122. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5122

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: LSTM

 Аналоги (замена) для 2SC5122

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5122 даташит

 ..1. Size:171K  toshiba
2sc5122.pdfpdf_icon

2SC5122

 8.1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC5122

 8.2. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5122

 8.3. Size:59K  panasonic
2sc5128.pdfpdf_icon

2SC5122

Power Transistors 2SC5128 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- 2.6 0.1 stalled to the heat sink with one screw

Другие транзисторы: 2SA940A, 2SC2073A, 2SC3709A, 2SC3710A, 2SC4935, 2SC5000, 2SC5075, 2SC5076, TIP142, 2SC5154, 2SC5171, 2SC5172, 2SC5173, 2SC5174, 2SC5176, 2SC5196, 2SC5197