Справочник транзисторов. 2SC5196

 

Биполярный транзистор 2SC5196 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5196
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3PN
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5196 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  toshiba
2sc5196.pdfpdf_icon

2SC5196

 ..2. Size:184K  inchange semiconductor
2sc5196.pdfpdf_icon

2SC5196

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5196DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Min) @I = 5ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1939100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 40W high fidel

 8.1. Size:170K  toshiba
2sc5199.pdfpdf_icon

2SC5196

 8.2. Size:148K  toshiba
2sc5198.pdfpdf_icon

2SC5196

2SC5198 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5198 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) Complementary to 2SA1941 Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifiers output stage Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 140 VCollector-em

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.