2SC5810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5810

Маркировка: 3C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: PW-MINI SC62

 Аналоги (замена) для 2SC5810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5810 даташит

 ..1. Size:177K  toshiba
 2sc5810.pdf pdf_icon

2SC5810

2SC5810 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5810 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.1 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.17 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 85 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristi

 8.1. Size:180K  toshiba
 2sc5819.pdf pdf_icon

2SC5810

2SC5819 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5819 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.15 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.12 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 45 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =

 8.2. Size:81K  panasonic
 2sc5813.pdf pdf_icon

2SC5810

Transistors 2SC5813 Silicon NPN epitaxial planar type For DC-DC converter Unit mm 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 Features 3 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing 1 2 (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 8.3. Size:94K  hitachi
 2sc5812.pdf pdf_icon

2SC5810

2SC5812 Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier ADE-208-1468(Z) Rev.0 Nov. 2001 Features High power gain, Low noise figure at low power operation S21 2 = 17 dB typ, NF = 1.0 dB typ (VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 900 MHz) Outline MFPAK 3 1 1. Emitter 2 2. Base 3. Collector Note Marking is WG . 2SC5812 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5703, 2SC5712, 2SC5713, 2SC5714, 2SC5738, 2SC5755, 2SC5784, 2SC5785, 13003, 2SC5819, 2SC5886, 2SC5886A, 2SC5906, 2SC5930, 2SC5948, 2SC5949, 2SC5976