Биполярный транзистор 2SC6124 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC6124
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: PW-MINI SC62
2SC6124 Datasheet (PDF)
2sc6124.pdf
2SC6124 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6124 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High-speed switching: tstg = 400 ns (typ.) Complementary to 2SA2206 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO
2sc6126.pdf
2SC6126 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6126 High-Speed Switching Applications Unit : mmDC-DC Converter Applications LCD Backlighting Applications High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A) Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max) High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic
2sc6125.pdf
2SC6125 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6125 High-Speed Switching Applications Unit : mmPower Amplifier Applications High DC current gain: hFE = 180 to 390 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.2 V (max) High-speed switching: tf = 15 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector
2sc6127.pdf
2SC6127 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6127 High Voltage Switching Applications Unit: mmHigh Voltage Amplifier Applications High voltage: VCEO = 800 V Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 800 VCollector-emitter voltage VCEO 800 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 5
2sc6123.pdf
2SC6123 R07DS0329JJ0100Rev.1.00 2011.04.15 2SC6123 VCE(sat) hFE NPN OAFA DC/DC hFE
2sc6123-z.pdf
2SC6123 R07DS0329JJ0100Rev.1.00 2011.04.15 2SC6123 VCE(sat) hFE NPN OAFA DC/DC hFE
2sc6120.pdf
2SC6120FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION UnitmmOUTLINE DRAWING 2SC6120 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with 2.1 high collector current, low VCEsat. 0.425 1.25 0.425FEATURE High collector current ICMAX=600mA Low collector to emitter saturation voltage VCE
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050