TPC6603 - описание и поиск аналогов

 

TPC6603. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPC6603

Маркировка: H3E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: VS6

 Аналоги (замена) для TPC6603

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6603 даташит

 ..1. Size:156K  toshiba
tpc6603.pdfpdf_icon

TPC6603

TPC6603 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6603 Switching Applications Unit mm DC/DC Converter Applications Strobe Flash Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol R

 8.1. Size:158K  toshiba
tpc6604.pdfpdf_icon

TPC6603

TPC6604 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6604 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.23 V (max) High-speed switching tf = 70 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating

 8.2. Size:150K  toshiba
tpc6602.pdfpdf_icon

TPC6603

TPC6602 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6602 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri

 8.3. Size:151K  toshiba
tpc6601.pdfpdf_icon

TPC6603

TPC6601 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6601 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.2 V (max) High-speed switching tf = 90 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Uni

Другие транзисторы... 2SC6140 , 2SC6142 , TPC6501 , TPC6502 , TPC6503 , TPC6504 , TPC6601 , TPC6602 , NJW0281G , TPC6604 , TPC6701 , TPC6D03 , TPCP8501 , TPCP8504 , TPCP8505 , TPCP8507 , TPCP8510 .

History: BD351A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.