2N5810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5810  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5810 даташит

 0.1. Size:162K  microelectronics
 2n5810-19.pdf pdf_icon

2N5810

 9.1. Size:218K  rca
 2n581.pdf pdf_icon

2N5810

 9.2. Size:83K  central
 2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf pdf_icon

2N5810

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

Другие транзисторы: 2N5793, 2N5794, 2N5795, 2N5796, 2N580, 2N5804, 2N5805, 2N581, MPSA42, 2N5811, 2N5812, 2N5813, 2N5814, 2N5815, 2N5816, 2N5817, 2N5818