Биполярный транзистор TPCP8604 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TPCP8604
Маркировка: 8604
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: PS8
- подбор биполярного транзистора по параметрам
TPCP8604 Datasheet (PDF)
tpcp8604.pdf

TPCP8604 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type TPCP8604 High-Voltage Switching Applications Unit: mm0.330.05High breakdown voltage: VCEO = -400 V 0.05 M A8 5Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit0.475 1 4BCollector-base voltage VCBO -400 V0.05 M B0.65Collector-emitter voltage VCEO -400 V 2.90.1AEmitte
tpcp8603.pdf

TPCP8603 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPCP8603 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC/DC Converters 0.330.05 0.05 M A8 5Strobe Applications High DC current gain: hFE = 120300 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.2 V (max) 0.475 1 4B0.05 M B0.65 High-speed switching: tf = 120 ns (typ.) 2.9
tpcp8601.pdf

TPCP8601 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TPCP8601 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 0.330.05 0.05 M A8 5Strobo Flash Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.6 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = -0.19 V (max) 0.475 1 4B High-speed switching: tf = 35 ns (typ.
tpcp8602.pdf

TPCP8602 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPCP8602 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 0.330.05 0.05 M A8 5Strobe Flash Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.3 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = -0.2 V (max) 0.475 1 4 High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) B0.05 M B
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050