TTC012 - описание и поиск аналогов

 

TTC012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC012

Маркировка: C012

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: NEW-PW-MOLD2

 Аналоги (замена) для TTC012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC012 даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
ttc012.pdfpdf_icon

TTC012

TTC012 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC012 TTC012 TTC012 TTC012 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed High-Voltage Switching Switching Voltage Regulators High-Speed DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High speed switching tf = 0.15 s (typ.) (IC = 0.5 A) (2) High collec

 9.1. Size:603K  toshiba
ttc011b.pdfpdf_icon

TTC012

TTC011B NPN TTC011B TTC011B TTC011B TTC011B 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) VCEO = 230 V ( ) (2) Cob = 20 pF ( ) (3)

 9.2. Size:171K  toshiba
ttc011.pdfpdf_icon

TTC012

TTC011 Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type TTC011 TTC011 TTC011 TTC011 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Voltage Switching LCD Backlighting 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High collector breakdown voltage VCEO = 230 V (2) High DC current gain hFE = 100 to 320 (IC = 0.2 A) 3. Packaging and Interna

 9.3. Size:223K  toshiba
ttc015b.pdfpdf_icon

TTC012

TTC015B Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type TTC015B TTC015B TTC015B TTC015B 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Amplifiers Power Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High DC current gain hFE = 100 to 200 (IC = 0.5 A) (2) Low collector emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.5 V (max) (IC = 1A) (3

Другие транзисторы: TTC0002, TTC003, TTC004, TTC005, TTC007, TTC008, TTC009, TTC011, 2N3904, TTC013, TTC13003L, TTC5200, 2SC4250FV, 2SC4915, 2SC5064, 2SC5065, 2SC5066

 

 

 

 

↑ Back to Top
.