Биполярный транзистор TTC5200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TTC5200
Маркировка: TTC5200
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 145 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO3PL
TTC5200 Datasheet (PDF)
ttc5200.pdf
TTC5200 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type TTC5200 Power Amplifier Applications Unit: mm High collector voltage: VCEO = 230 V (min) Complementary to TTA1943 Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 230 VCo
ttc5200.pdf
TTC5200Minos Silicon NPN Triple Diffused TypePower Amplifier Applications Complementary toTTA1943 High collector voltage:VCEO=230V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifierOutput stageNote1: Using continuously under heavy loads (e.g. the applicationof high temperature/current/voltage and the significant changein temperature, etc.) may cause t
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , TIP142 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050