MT3S07FS - описание и поиск аналогов

 

MT3S07FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MT3S07FS

Маркировка: 4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.085 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: FSM

 Аналоги (замена) для MT3S07FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S07FS даташит

 ..1. Size:148K  toshiba
mt3s07fs.pdfpdf_icon

MT3S07FS

MT3S07FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S07FS Unit mm VHF UHF Band Low-Noise Amplifier Applications VHF UHF Band Buffer Applications Superior performance in buffer applications 1 Superior noise characteristics 3 NF = 1.6 dB, S 2 = 8 dB (f = 2 GHz) 21e 2 0.8 0.05 0.1 0.05 1.0 0.05 0.1 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 8.1. Size:223K  toshiba
mt3s07u.pdfpdf_icon

MT3S07FS

MT3S07U PCB 24

 8.2. Size:226K  toshiba
mt3s07t.pdfpdf_icon

MT3S07FS

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:111K  toshiba
mt3s03au.pdfpdf_icon

MT3S07FS

MT3S03AU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S03AU VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure NF = 1.4dB (f = 2 GHz) High gain Gain = 8dB (f = 2 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 10 V Collector-emitter voltage VCEO 5 V Emitter-base voltage VEBO 2

Другие транзисторы: 2SC5096, 2SC5106, 2SC5107, 2SC5108, 2SC5317FT, 2SC5319, MT3S03AU, MT3S04AU, 2N2222A, MT3S07T, MT3S07U, MT3S11FS, MT3S15TU, MT3S16U, MT3S19, MT3S19R, MT3S19TU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.