Справочник транзисторов. MT3S11FS

 

Биполярный транзистор MT3S11FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MT3S11FS
   Маркировка: 8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.085 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: FSM
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S11FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  toshiba
 mt3s11fs.pdf pdf_icon

MT3S11FS

MT3S11FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S11FS Unit: mmVHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Oscillator Applications Superior performance in oscillator applications. 1 Superior noise characteristics 3:NF = 2.4 dB, |S21e|2 = 3.5 dB (f =2GHz) 2 0.80.050.10.05 1.00.050.10.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 8.1. Size:161K  toshiba
 mt3s111 .pdf pdf_icon

MT3S11FS

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure: NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain:|S21e|2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. BaseR 5 2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236JEITA SC-59Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) T

 8.2. Size:201K  toshiba
 mt3s113.pdf pdf_icon

MT3S11FS

MT3S113 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S113 VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFEATURES Low Noise Figure:NF=1.15dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain:|S21e|2=11.8dB(Typ.) (@ f=1GHz) Marking R 7 1. Base2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 8.3. Size:156K  toshiba
 mt3s111tu .pdf pdf_icon

MT3S11FS

MT3S111TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111TU VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit: mm2.10.11.70.1Features Low-Noise Figure: NF=0.85 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 1 High Gain: |S21e|2=12.5 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 32 Marking 3 1. BASE R 5 2. EMITTER 3. COLLECTOR 1 2 UFM JEDEC -JEITA -Ab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CMXT2207 | HA7631 | ZTX4403K

 

 
Back to Top

 


 
.