Биполярный транзистор 2N5816 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5816
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
2N5816 Datasheet (PDF)
..1. Size:83K central
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf
2n5814 2n5815 2n5816 2n5817 2n5818 2n5819.pdf
TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
Другие транзисторы... 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 , 2N5813 , 2N5814 , 2N5815 , TIP36C , 2N5817 , 2N5818 , 2N5819 , 2N582 , 2N5820 , 2N5821 , 2N5822 , 2N5823 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050