MT3S20P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S20P  📄📄 

Маркировка: MU

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: PW-MINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S20P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S20P даташит

 ..1. Size:178K  toshiba
 mt3s20p.pdf pdf_icon

MT3S20P

MT3S20P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20P VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm FEATURES Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@f=1GHz) High Gain S21e 2=11dB(Typ.) (@f=1GHz) Marking M U PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characteristi

 8.1. Size:182K  toshiba
 mt3s20r.pdf pdf_icon

MT3S20P

MT3S20R TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20R VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm +0.08 0.42 +0.08 -0.05 0.17 0.05 M A -0.07 FEATURES 3 Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@ f=1GHz) High Gain S21e 2=12dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 2 0.95 0.95 2.9 0.2 A Marking 3 1. Base 2. Emitter 3. Collec

 8.2. Size:188K  toshiba
 mt3s20tu.pdf pdf_icon

MT3S20P

MT3S20TU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S20TU VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm 2.1 0.1 1.7 0.1 FEATURES Low Noise Figure NF=1.45dB(Typ.) (@ f=1GHz) 1 High Gain S21e 2=12dB(Typ.) (@ f=1GHz) 3 2 Marking 3 1.BASE M U 2.EMITTER 3.COLLECTOR UFM 1 2 JEDEC - JEITA - TOSHIBA 2-2U1B Absolu

 9.1. Size:169K  toshiba
 mt3s21p.pdf pdf_icon

MT3S20P

MT3S21P TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type MT3S21P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit mm FEATURES Low-Noise Figure NF=1.55 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain S21e 2=11 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking T 2 PW-Mini JEDEC - JEITA SC-62 TOSHIBA 2-5K1A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Weight 0.05 g (Typ.) Characterist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MT3S07T, MT3S07U, MT3S11FS, MT3S15TU, MT3S16U, MT3S19, MT3S19R, MT3S19TU, 2SC4793, MT3S20R, MT3S20TU, MT3S21P, MT3S22P, MT3S35FS, MT3S37FS, MT3S41FS, MT4S03A