Биполярный транзистор 2SB1682 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1682
Маркировка: B1682
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TO3PN
2SB1682 Datasheet (PDF)
2sb1682.pdf
2SB1682 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington power transistor) 2SB1682 Unit: mm Power Amplifier Applications High-Power Switching Applications High-breakdown voltage: VCEO = -160 V (min) Complementary to 2SD2636 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltag
2sb1683 2sd2639 2sd2639.pdf
Ordering number : ENN69602SB1683 / 2SD26392SB1683 : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD2639 : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SB1683 / 2SD2639140V / 12A, AF 60W Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions Wide ASO because of on-chip ballast resistance.unit : mm Good dependence of fT on current and good HF2010Ccharacteristic.[2SB1683 / 2SD26
2sb1688.pdf
To all our customersRegarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAM
2sb1689.pdf
2SB1689DatasheetGeneral purpose amplification (-12V, -1.5A)lOutlinel SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO-12VIC-1.5AUMT3lFeatures lInner circuitl l1)A collector current is large2)Collector saturation voltage is low.VCE(sat)-200mVat IC=-500mA/IB=-25mAlApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVERlPackaging
2sb1685 2sb1687.pdf
Print to PDF without this message by purchasing novaPDF (http://www.novapdf.com/)Print to PDF without this message by purchasing novaPDF (http://www.novapdf.com/)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050