2SC4702 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC4702 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4702 📄📄

Маркировка: XV-

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: MPAK

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC4702

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC4702 даташит

..1. Size:31K hitachi
2sc4702.pdf pdf_icon

2SC4702 Silicon NPN Epitaxial Application High voltage amplifier Features High breakdown voltage VCEO = 300 V Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. Outline MPAK 3 1 1. Emitter 2. Base 2 3. Collector 2SC4702 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 300 V Collector to emitter voltage VCEO 300 V Emitter to base voltage VEBO

..2. Size:560K kexin
2sc4702.pdf pdf_icon

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC4702 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=50mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=300V +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 300 Colle

0.1. Size:99K renesas
r07ds0275ej 2sc4702-1.pdf pdf_icon