Биполярный транзистор PCP1208 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PCP1208
Маркировка: QO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: PCP
PCP1208 Datasheet (PDF)
pcp1208.pdf
PCP1208Ordering number : ENA1836SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorPCP1208LED Back LightFeatures VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3ASpecifications at Ta=25C
pcp1208.pdf
Ordering number : ENA1836BPCP1208Bipolar Transistor http://onsemi.com200V, 0.7A Low VCE(sat) NPN Single PCPFeatures VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3ASpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25
pcp1203.pdf
PCP1203Ordering number : ENA1348SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorPCP1203DC / DC Converter ApplicationsApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, Inverters, IGBT gate drivers.Features Adoption of FBET, MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage.
pcp1203.pdf
Ordering number : ENA1348APCP1203Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )30V, 1.5A, Low VCE sat , NPN Single PCPApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, Inverters, IGBT gate driversFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050