Биполярный транзистор PCP1208 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PCP1208
Маркировка: QO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: PCP
PCP1208 Datasheet (PDF)
pcp1208.pdf
PCP1208Ordering number : ENA1836SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorPCP1208LED Back LightFeatures VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3ASpecifications at Ta=25C
pcp1208.pdf
Ordering number : ENA1836BPCP1208Bipolar Transistor http://onsemi.com200V, 0.7A Low VCE(sat) NPN Single PCPFeatures VCEO=200V, IC=0.7A High allowable power dissipation Halogen free compliance Low collector-to-emitter saturation voltage VCE(sat)=0.115V(typ.)@IC=0.35A High-speed switching tf=70ns(typ.)@IC=0.3ASpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25
pcp1203.pdf
PCP1203Ordering number : ENA1348SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorPCP1203DC / DC Converter ApplicationsApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, Inverters, IGBT gate drivers.Features Adoption of FBET, MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage.
pcp1203.pdf
Ordering number : ENA1348APCP1203Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )30V, 1.5A, Low VCE sat , NPN Single PCPApplications DC / DC converters, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, Inverters, IGBT gate driversFeatures Adoption of FBET, MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching High a
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
