Биполярный транзистор SFT1202 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SFT1202
Маркировка: T1202
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TP
SFT1202 Datasheet (PDF)
sft1202.pdf
Ordering number : ENA1169 SFT1202SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorSFT1202High-Voltage Switching ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch
sft1202.pdf
Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
sft1202.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A)CE(sat C BFast -Switching speedHigh allowable power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC/DC converterRelay dirversLamp dirversMotor dirversinverterABSO
sft1202-e.pdf
Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
