2SB1690 - описание и поиск аналогов

 

2SB1690. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB1690

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TSMT3

 Аналоги (замена) для 2SB1690

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1690 даташит

 ..1. Size:68K  rohm
2sb1690.pdfpdf_icon

2SB1690

2SB1690 Transistors General purpose amplification(-12V, -2A) 2SB1690 Applications External dimensions (Unit mm) Low frequency amplifier TSMT3 Deiver 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 Features (3) 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. (1) (2) VCE(sat) max. -180mV 0.95 0.95 0.16 1.9 at IC= -1A / IB= -50mA (1) Base (2) Emitter Ea

 0.1. Size:66K  rohm
2sb1690k.pdfpdf_icon

2SB1690

2SB1690K Transistors General purpose amplification(-12V, -2A) 2SB1690K External dimensions (Units mm) Applications Low frequency amplifier Deiver Features 1.6 1) A collector current is large. 2.8 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -180mV 0.3Min. at IC= -1A / IB= -50mA Each lead has same dimensions (1) Emitter ROHM SMT3 EIAJ SC-59 (2) Ba

 8.1. Size:77K  renesas
2sb1691.pdfpdf_icon

2SB1690

2SB1691 Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0482-0200 (Previous ADE-208-1387A (Z)) Rev.2.00 Dec.09.2004 Features Small size package MPAK (SC 59A) Large Maximum current IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/ 0.05 A) High power dissipation PC = 800 mW (when usi

 8.2. Size:88K  renesas
r07ds0272ej 2sb1691-1.pdfpdf_icon

2SB1690

Preliminary Datasheet 2SB1691 R07DS0272EJ0300 (Previous REJ03G0482-0200) Silicon PNP Epitaxial Planer Rev.3.00 Low Frequency Power Amplifier Mar 28, 2011 Features Small size package MPAK (SC 59A) Large Maximum current IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/ 0.05 A) High power dissipation

Другие транзисторы... 2SAR554R , 2SB1197K , 2SB1198K , 2SB1427 , 2SB1561 , 2SB1590K , 2SB1689 , 2SB1690K , BD135 , 2SB1694 , 2SB1695K , 2SB1695 , 2SB1697 , 2SB1698 , 2SB1705 , 2SB1706 , 2SB1707 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.