2N5834 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5834  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5834

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5834 даташит

 9.2. Size:294K  fairchild semi
2n5830.pdfpdf_icon

2N5834

Discrete POWER & Signal Technologies 2N5830 C TO-92 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display driving. Sourced from Process 16. See 2N5551 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V V Collector-

 9.3. Size:67K  mcc
2n5832.pdfpdf_icon

2N5834

MCC Micro Commercial Components 21201 Itasca Street Chatsworth 2N5832 CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Through Hole Package Plastic-case Bipolar NPN Transistor Pin Configuration Bottom View C B E Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified TO-92 Symbol Parameter Min Max Units A E OFF CHARACTERISTICS V(BR)CEO Collector-Emitt

 9.4. Size:379K  no
2n5839.pdfpdf_icon

2N5834

Другие транзисторы: 2N5828, 2N5828A, 2N5829, 2N583, 2N5830, 2N5831, 2N5832, 2N5833, C5198, 2N5835, 2N5836, 2N5837, 2N5838, 2N5839, 2N583A, 2N584, 2N5840