2SB1731 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1731  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TUMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1731

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1731 даташит

 ..1. Size:105K  rohm
 2sb1731.pdf pdf_icon

2SB1731

2SB1731 Transistors Low frequency amplifier 2SB1731 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) -370mV at IC =-1A / IB =-50mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol FL (1)Base (2)Emitter (3)Collector Packaging specifications Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Un

 8.1. Size:107K  rohm
 2sb1733.pdf pdf_icon

2SB1731

2SB1733 Transistors General purpose amplification (-30V, -1A) 2SB1733 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) max. -350mV at Ic = -500mA / IB = -25mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol EW (1) Base (2) Emitter (3) Collector Packaging specification

 8.2. Size:70K  rohm
 2sb1730.pdf pdf_icon

2SB1731

2SB1730 Transistors General purpose amplification(-12V, -2A) 2SB1730 Applications Dimensions (Unit mm) Low frequency amplifier Deiver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -180mV at IC= -1A / IB= -50mA ROHM TUMT3 Abbreviated symbol FV (1) Base Packaging specifications (2) Emitter (3) Collector Packag

 8.3. Size:105K  rohm
 2sb1732.pdf pdf_icon

2SB1731

2SB1732 Transistors Genera purpose amplification(-12V, -1.5A) 2SB1732 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) -200mV ROHM TUMT3 Abbreviated symbol EV (1)Base at IC = -500mA / IB = -25mA (2)Emitter (3)Collector Packaging specifications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1698, 2SB1705, 2SB1706, 2SB1707, 2SB1708, 2SB1709, 2SB1710, 2SB1730, 2SC945, 2SB1732, 2SB1733, 2SB852K, 2SC2411K, 2SC2412K, 2SC2413K, 2SC3837K, 2SC3838K