2SCR542P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SCR542P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: MPT3

 Аналоги (замена) для 2SCR542P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR542P даташит

 ..1. Size:1825K  rohm
 2scr542p.pdf pdf_icon

2SCR542P

2SCR542P Datasheet Middle Power Transistor (30V / 5A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 30V IC 5A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=400mV(Max.) (IC/IB=2A/100mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specification

 0.1. Size:1513K  rohm
 2scr542pfra.pdf pdf_icon

2SCR542P

2SCR542PFRA 2SCR542P Data Sheet NPN 5.0A 30V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO 30V Base IC Collector 5.0A Emitter 2SCR542PFRA 2SCR542P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2SAR542PFRA 2) Complementary PNP Types 2SAR542P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.4V Max. (IC/IB=2A/100mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant

 7.1. Size:491K  rohm
 2scr542d.pdf pdf_icon

2SCR542P

Midium Power Transistors (30V / 5A) 2SCR542D Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor CPT3 (SC-63) Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 2A / 100mA) 2) High speed switching 9 (1) Base Applications (2) Collector (3) Emitter Driv

 7.2. Size:1479K  rohm
 2scr542f3.pdf pdf_icon

2SCR542P

2SCR542F3 Datasheet NPN 3.0A 30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value HUML2020L3 VCEO 30V IC 3A 2SCR542F3 lFeatures l lInner circuit l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.20V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 3) High collector current. IC=3A(max),ICP=6A(m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SCR522M, 2SCR522UB, 2SCR523EB, 2SCR523M, 2SCR523UB, 2SCR533D, 2SCR533P, 2SCR542D, 2N2222, 2SCR543D, 2SCR543R, 2SCR544D, 2SCR544P, 2SCR544R, 2SCR552P, 2SCR553P, 2SCR554P