Справочник транзисторов. 2SD2114K

 

Биполярный транзистор 2SD2114K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD2114K
   Маркировка: BBV_BBW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SMT3 SC-59
 

 Аналог (замена) для 2SD2114K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2114K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  rohm
 2sd2114k 2sd2144s.pdf pdf_icon

2SD2114K

2SD2114K / 2SD2144S Transistors High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High DC current gain. 2SD2114K2.90.21.1+0.21.90.2 -0.1 hFE = 1200 (Typ.) 0.80.10.95 0.952) High emitter-base voltage. (1) (2)00.1 VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). (3)+0.1 VCE (sat) = 0.18V (Ty

 0.1. Size:157K  rohm
 2sd2114ks.pdf pdf_icon

2SD2114K

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K Features Dimensions (Unit : mm) 1) High DC current gain. 2SD2114K2.90.21.1+0.2 hFE = 1200 (Typ.) 1.90.2 -0.10.80.10.95 0.952) High emitter-base voltage. (1) (2) VEBO =12V (Min.) 00.13) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (3) (IC / IB = 500mA / 20mA) +0.10.15-0.06+0.10.4-0

 0.2. Size:89K  rohm
 2sd2114k-s.pdf pdf_icon

2SD2114K

2SD2114K / 2SD2144S Transistors High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High DC current gain. 2SD2114K2.90.21.1+0.21.90.2 -0.1 hFE = 1200 (Typ.) 0.80.10.95 0.952) High emitter-base voltage. (1) (2)00.1 VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). (3)+0.1 VCE (sat) = 0.18V (Ty

 0.3. Size:106K  lrc
 l2sd2114kvlt1g.pdf pdf_icon

2SD2114K

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistorL2SD2114KVLT1G Series FeaturesS-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.3VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat).1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SCR553P , 2SCR554P , 2SCR554R , 2SD1383K , 2SD1484K , 2SD1757K , 2SD1781K , 2SD1782K , 2SD718 , 2SD2142K , 2SD2143 , 2SD2153 , 2SD2226K , 2SD2351 , 2SD2391 , 2SD2444K , 2SD2537 .

 

 
Back to Top

 


 
.