2SD2704K - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SD2704K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SD2704K
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SMT3 SC-59

 Аналоги (замена) для 2SD2704K

 

2SD2704K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  rohm
2sd2704k.pdfpdf_icon

2SD2704K

For Muting (20V, 0.3A) 2SD2704K Features Dimensions (Unit mm) 1) High DC current gain. 2SD2704K hFE = 820 to 2700 SOT-346 2.9 1.1 2) High emitter-base voltage. VEBO = 25V (Min.) 0.4 0.8 3) Low Ron (3) Ron= 0.7 (Typ.) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor ( ) ( ) 2 1 0.95 0.95 (1) Emitter 0.15 (2) Base 1.9 (3) Collector Each lea

 ..2. Size:144K  rohm
2sd2704k 2sd2705k.pdfpdf_icon

2SD2704K

For Muting (20V, 0.3A) 2SD2704K / 2SD2705S Features Dimensions (Unit mm) 1) High DC current gain. 2SD2704K hFE = 820 to 2700 2.9 1.1 2) High emitter-base voltage. 0.4 0.8 VEBO = 25V (Min.) (3) 3) Low Ron Ron= 0.7 (Typ.) (2) (1) Structure 0.95 0.95 (1) Emitter 0.15 Epitaxial planar type (2) Base 1.9 (3) Collector NPN silicon transistor Each lead ha

 8.1. Size:70K  rohm
2sd2702.pdfpdf_icon

2SD2704K

2SD2702 Transistors General purpose amplification (12V, 1.5A) 2SD2702 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low.

 8.2. Size:1231K  rohm
2sd2707.pdfpdf_icon

2SD2704K

2SD2707 Datasheet General Purpose Transistor (50V, 150mA) lOutline l SOT-723 Parameter Value SC-105AA VCEO 50V IC 150mA VMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. (Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA) lApplication l LOW FREQENCY AMPLIFIER, DRIVER

Другие транзисторы... 2SD2673 , 2SD2674 , 2SD2675 , 2SD2696 , 2SD2700 , 2SD2701 , 2SD2702 , 2SD2703 , BC558 , 2SD2707 , QST2 , QST3 , QST4 , QST5 , QST6 , QST7 , QSX1 .

History: CHDTC124TKGP | DNLS160V | BU361

 

 
Back to Top

 


 
.