2SD2704K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2704K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SMT3 SC-59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD2704K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2704K даташит

 ..1. Size:987K  rohm
 2sd2704k.pdf pdf_icon

2SD2704K

For Muting (20V, 0.3A) 2SD2704K Features Dimensions (Unit mm) 1) High DC current gain. 2SD2704K hFE = 820 to 2700 SOT-346 2.9 1.1 2) High emitter-base voltage. VEBO = 25V (Min.) 0.4 0.8 3) Low Ron (3) Ron= 0.7 (Typ.) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor ( ) ( ) 2 1 0.95 0.95 (1) Emitter 0.15 (2) Base 1.9 (3) Collector Each lea

 ..2. Size:144K  rohm
 2sd2704k 2sd2705k.pdf pdf_icon

2SD2704K

For Muting (20V, 0.3A) 2SD2704K / 2SD2705S Features Dimensions (Unit mm) 1) High DC current gain. 2SD2704K hFE = 820 to 2700 2.9 1.1 2) High emitter-base voltage. 0.4 0.8 VEBO = 25V (Min.) (3) 3) Low Ron Ron= 0.7 (Typ.) (2) (1) Structure 0.95 0.95 (1) Emitter 0.15 Epitaxial planar type (2) Base 1.9 (3) Collector NPN silicon transistor Each lead ha

 8.1. Size:70K  rohm
 2sd2702.pdf pdf_icon

2SD2704K

2SD2702 Transistors General purpose amplification (12V, 1.5A) 2SD2702 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low.

 8.2. Size:1231K  rohm
 2sd2707.pdf pdf_icon

2SD2704K

2SD2707 Datasheet General Purpose Transistor (50V, 150mA) lOutline l SOT-723 Parameter Value SC-105AA VCEO 50V IC 150mA VMT3 lFeatures lInner circuit l l 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. (Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA) lApplication l LOW FREQENCY AMPLIFIER, DRIVER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2673, 2SD2674, 2SD2675, 2SD2696, 2SD2700, 2SD2701, 2SD2702, 2SD2703, BC558, 2SD2707, QST2, QST3, QST4, QST5, QST6, QST7, QSX1