2N5845 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5845  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5845

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5845 даташит

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N5845

 9.2. Size:108K  jmnic
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N5845

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in switching power supply applications and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute max

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n5838 2n5839 2n5840.pdf pdf_icon

2N5845

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5838 2N5839 2N5840 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High breakdown voltage APPLICATIONS For use in switching power supply and other inductive switching circuits. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collecto

Другие транзисторы: 2N5839, 2N583A, 2N584, 2N5840, 2N5841, 2N5842, 2N5843, 2N5844, 2N3906, 2N5845A, 2N5846, 2N5847, 2N5848, 2N5849, 2N585, 2N5850-2, 2N5851