DTA123EE - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DTA123EE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTA123EE
   Маркировка: 12_6H
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: EMT3

 Аналоги (замена) для DTA123EE

 

DTA123EE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  rohm
dta123ee.pdfpdf_icon

DTA123EE

DTA123E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline VMT3 EMT3 Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) GND 100mA GND R1 2.2k DTA123EM DTA123EE R2 2.2k (SC-105AA) SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3 OUT OUT Features IN 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2k . IN GND GND 2) Built-in bias re

 0.1. Size:416K  nxp
pdta123ee pdta123eef pdta123ek pdta123em pdta123es pdta123et pdta123eu.pdfpdf_icon

DTA123EE

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.2. Size:139K  nxp
pdta123eef pdta123ek pdta123es.pdfpdf_icon

DTA123EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 02 Supersedes data of 2004 Apr 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 0.3. Size:2081K  rohm
dta123eefra dta123ekafra dta123emfha dta123euafra.pdfpdf_icon

DTA123EE

DTA123E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 2.2k DTA123EM DTA123EE DTA123EMFHA DTA123EEFRA R2 (SC-105AA) SOT-416(SC-75A) 2.2k UMT3 SMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2k 2

Другие транзисторы... DTA114EM , DTA114EUB , DTA114WE , DTA114YEB , DTA114YM , DTA114YUB , DTA115EEB , DTA115EM , TIP31C , DTA123EM , DTA123JE , DTA123JEB , DTA123JM , DTA123JUA , DTA123JUB , DTA123YE , DTA124EE .

History: RN2403 | BUS36 | 2SD344 | DRA9143T | A178 | 2SC2943 | RN1970

 

 
Back to Top

 


 
.