Справочник транзисторов. DTA123EM

 

Биполярный транзистор DTA123EM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTA123EM
   Маркировка: 12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTA123EM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:416K  nxp
pdta123ee pdta123eef pdta123ek pdta123em pdta123es pdta123et pdta123eu.pdfpdf_icon

DTA123EM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.2. Size:2081K  rohm
dta123eefra dta123ekafra dta123emfha dta123euafra.pdfpdf_icon

DTA123EM

DTA123E seriesDatasheetPNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlinelParameter ValueVMT3 EMT3VCC-50VIC(MAX.)-100mA R12.2kDTA123EM DTA123EEDTA123EMFHA DTA123EEFRAR2 (SC-105AA) SOT-416(SC-75A)2.2kUMT3 SMT3lFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2k 2

 0.3. Size:109K  onsemi
dta123em3.pdfpdf_icon

DTA123EM

MUN2131, MMUN2131L,MUN5131, DTA123EE,DTA123EM3, NSBA123EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (B

 0.4. Size:120K  onsemi
dta114em3t5g dta114tm3t5g dta114ym3t5g dta115em3t5g dta123em3t5g dta123jm3t5g dta124em3t5g dta124xm3t5g.pdfpdf_icon

DTA123EM

DTA114EM3T5G SeriesPreferred DevicesDigital Transistors (BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistorhttp://onsemi.comcontains a single transistor with a monolithic bias network consistingof two resistors;

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BLX58 | 2SA1696 | DTC124ECA | AU110 | ESM400A | DST857BDJ | 2SAB40

 

 
Back to Top

 


 
.