Биполярный транзистор 2N585 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N585
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
2N585 Datasheet (PDF)
0.1. Size:79K central
2n5859.pdf
2n5859.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие транзисторы... 2N5843 , 2N5844 , 2N5845 , 2N5845A , 2N5846 , 2N5847 , 2N5848 , 2N5849 , BC548 , 2N5850-2 , 2N5851 , 2N5852 , 2N5853 , 2N5854 , 2N5855 , 2N5856 , 2N5857 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050