DTB123YK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTB123YK  📄📄 

Маркировка: F52

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SMT3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTB123YK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB123YK даташит

 ..1. Size:137K  rohm
dtb123yk dtb123yu-k.pdfpdf_icon

DTB123YK

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistor) DTB123YU / DTB123YK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.0 0.9 DTB123YU 0.3 0.2 0.7 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an (3) inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of th

 0.1. Size:824K  kexin
dtb123yka.pdfpdf_icon

DTB123YK

SMD Type Transistors Digital Transistors DTB123YKA (KDTB123YKA) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) 1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.

 0.2. Size:140K  chenmko
chdtb123ykgp.pdfpdf_icon

DTB123YK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB123YKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:130K  philips
pdtb123y ser.pdfpdf_icon

DTB123YK

PDTB123Y series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123YK PDTB123YS[1] SOT54 SC-43A TO-92

Другие транзисторы: DTA143ZEB, DTA143ZM, DTA143ZUB, DTA144EEB, DTA144EM, DTA144EUB, DTA144WE, DTB113ZK, TIP42, DTB123YU, DTB513ZE, DTB513ZM, DTB523YE, DTB523YM, DTB543EE, DTB543EM, DTB543XE