Биполярный транзистор 2N5855 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5855
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO106
2N5855 Datasheet (PDF)
9.2. Size:79K central
2n5859.pdf
2n5859.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие транзисторы... 2N5848 , 2N5849 , 2N585 , 2N5850-2 , 2N5851 , 2N5852 , 2N5853 , 2N5854 , 2N2222A , 2N5856 , 2N5857 , 2N5858 , 2N5859 , 2N586 , 2N5860 , 2N5861 , 2N5862 .