DTC114EM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTC114EM 📄📄
Маркировка: 24
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTC114EM
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC114EM даташит
dtc114em.pdf
DTC114EM Series Bias Resistor Transistor NPN Silicon 3 P b Lead(Pb)-Free COLLECTOR 1 3 2 R1 1 R2 BASE SOT-723 2 EMITTER Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage VCBO V 50 VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V mA IC 100 Collector Current-Continuous Thermal Characteristics Characteristics Symbol Max Unit Total Device
dtc114eefra dtc114ekafra dtc114emfha dtc114euafra.pdf
DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
dtc114em3-series.pdf
DTC114EM3T5G Series Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor http //onsemi.com contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resis
dtc114em3.pdf
MUN2211, MMUN2211L, MUN5211, DTC114EE, DTC114EM3, NSBC114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (
Другие транзисторы: DTC043EUB, DTC043ZEB, DTC043ZM, DTC043ZUB, DTC044EEB, DTC044EM, DTC044EUB, DTC114EEB, BC548, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, DTC114YM, DTC114YUA, DTC114YUB, DTC115EEB, DTC115EM
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998








