DTC114EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC114EM  📄📄 

Маркировка: 24

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC114EM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114EM даташит

 ..1. Size:270K  wietron
dtc114em.pdfpdf_icon

DTC114EM

DTC114EM Series Bias Resistor Transistor NPN Silicon 3 P b Lead(Pb)-Free COLLECTOR 1 3 2 R1 1 R2 BASE SOT-723 2 EMITTER Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage VCBO V 50 VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V mA IC 100 Collector Current-Continuous Thermal Characteristics Characteristics Symbol Max Unit Total Device

 0.1. Size:1522K  rohm
dtc114eefra dtc114ekafra dtc114emfha dtc114euafra.pdfpdf_icon

DTC114EM

DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 0.2. Size:127K  onsemi
dtc114em3-series.pdfpdf_icon

DTC114EM

DTC114EM3T5G Series Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor http //onsemi.com contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resis

 0.3. Size:155K  onsemi
dtc114em3.pdfpdf_icon

DTC114EM

MUN2211, MMUN2211L, MUN5211, DTC114EE, DTC114EM3, NSBC114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

Другие транзисторы: DTC043EUB, DTC043ZEB, DTC043ZM, DTC043ZUB, DTC044EEB, DTC044EM, DTC044EUB, DTC114EEB, BC548, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, DTC114YM, DTC114YUA, DTC114YUB, DTC115EEB, DTC115EM