Справочник транзисторов. DTC114YM

 

Биполярный транзистор DTC114YM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC114YM
   Маркировка: 64
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
 

 Аналог (замена) для DTC114YM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114YM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1523K  rohm
dtc114yefra dtc114ykafra dtc114ymfha dtc114yuafra.pdfpdf_icon

DTC114YM

DTC114Y seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCC50VIC(MAX.)100mA R110kDTC114YM DTC114YEBR2 (SC-105AA) (SC-89)47k EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC114YE DTC114Y

 0.2. Size:156K  onsemi
dtc114ym3.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L,MUN5214, DTC114YE,DTC114YM3, NSBC114YF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 47 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

 0.3. Size:135K  onsemi
mun2214 mmun2214l mun5214 dtc114ye dtc114ym3 nsbc114yf3.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L,MUN5214, DTC114YE,DTC114YM3, NSBC114YF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 47 kWwww.onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT

 0.4. Size:156K  onsemi
nsvdtc114ym3t5g.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L,MUN5214, DTC114YE,DTC114YM3, NSBC114YF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 47 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

Другие транзисторы... DTC044EEB , DTC044EM , DTC044EUB , DTC114EEB , DTC114EM , DTC114EUB , DTC114WE , DTC114YEB , BD140 , DTC114YUA , DTC114YUB , DTC115EEB , DTC115EM , DTC123EE , DTC123EM , DTC123JEB , DTC123JM .

History: KT647A-2 | DTC115EEB | KT506A | MT4S102T | KT601A

 

 
Back to Top

 


 
.