DTC114YM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC114YM  📄📄 

Маркировка: 64

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTC114YM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114YM даташит

 0.1. Size:1523K  rohm
dtc114yefra dtc114ykafra dtc114ymfha dtc114yuafra.pdfpdf_icon

DTC114YM

DTC114Y series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114YM DTC114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC114YE DTC114Y

 0.2. Size:156K  onsemi
dtc114ym3.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L, MUN5214, DTC114YE, DTC114YM3, NSBC114YF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

 0.3. Size:135K  onsemi
mun2214 mmun2214l mun5214 dtc114ye dtc114ym3 nsbc114yf3.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L, MUN5214, DTC114YE, DTC114YM3, NSBC114YF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 47 kW www.onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT

 0.4. Size:156K  onsemi
nsvdtc114ym3t5g.pdfpdf_icon

DTC114YM

MUN2214, MMUN2214L, MUN5214, DTC114YE, DTC114YM3, NSBC114YF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

Другие транзисторы: DTC044EEB, DTC044EM, DTC044EUB, DTC114EEB, DTC114EM, DTC114EUB, DTC114WE, DTC114YEB, S8050, DTC114YUA, DTC114YUB, DTC115EEB, DTC115EM, DTC123EE, DTC123EM, DTC123JEB, DTC123JM